TaC povlak

Keramika TaC má bod tání až 3880°C, vysokou tvrdost (tvrdost podle Mohse 9-10), velkou tepelnou vodivost (22W·m^-1·K⁻¹), velká pevnost v ohybu (340-400MPa) a malý koeficient tepelné roztažnosti (6,6×10^-6K-1), a vykazují vynikající termochemickou stabilitu a vynikající fyzikální vlastnosti, takže povlaky TaC jsou široce používány v letecké tepelné ochraně a grafitové a C/C kompozity mají dobrou chemickou kompatibilitu a mechanickou kompatibilitu. ), a vykazují vynikající termochemickou stabilitu a vynikající fyzikální vlastnosti a grafitové a C/C kompozity mají dobrou chemickou kompatibilitu a mechanickou kompatibilitu, takže povlaky TaC jsou široce používány v letecké ochraně, růstu monokrystalů, energetice a elektronice a lékařských zařízeních, atd. Grafit potažený TaC má lepší chemickou odolnost než holý grafit nebo grafit potažený SiC a lze jej stabilně používat při vysoké teplotě 2600°. 2600 ° vysoká teplotní stabilita a mnoho kovových prvků nereaguje, je třetí generací scénářů růstu polovodičových monokrystalů a leptání plátků v nejlepším výkonu povlaku, může výrazně zlepšit proces kontroly teploty a nečistot, přípravu vysokých -kvalitní destičky z karbidu křemíku a související epitaxní destičky. Je zvláště vhodný pro zařízení MOCVD pro pěstování monokrystalů GaN nebo AlN a zařízení PVT pro pěstování monokrystalů SiC, přičemž kvalita vypěstovaných monokrystalů se výrazně zlepšuje.

Podle výsledků výzkumuTaC povlak může fungovat jako ochranná a izolační vrstva pro prodloužení životnosti grafitových komponent, zlepšení radiální rovnoměrnosti teploty, udržení sublimační stechiometrie SiC, potlačení migrace nečistot a snížení spotřeby energie. Nakonec se očekává, že sada grafitových kelímků potažených TaC zlepší řízení procesu SiC PVT a kvalitu produktu.