Řezání SiC

Karbid křemíku (SiC)je velmi oblíbený v polovodičovém průmyslu pro své vynikající fyzikální a chemické vlastnosti. Nicméně, vysoká tvrdost a křehkostSiCpředstavují značné problémy při jeho zpracování.

Řezání diamantovým drátem je běžně používanéSiCmetoda řezání a je vhodná pro přípravu velkorozměrových SiC waferů.

Výhoda:

Vysoká účinnost: Díky vysoké rychlosti řezání se technologie řezání diamantovým drátem stala preferovanou metodou pro hromadnou výrobu velkých SiC destiček, což výrazně zlepšuje efektivitu výroby.

Nízké tepelné poškození: Ve srovnání s tradičními metodami řezání generuje řezání diamantovým drátem během provozu méně tepla, účinně snižuje tepelné poškození krystalů SiC a zachovává integritu materiálu.

Dobrá kvalita povrchu: Drsnost povrchu destičky SiC získaná po řezání je nízká, což poskytuje dobrý základ pro následné procesy broušení a leštění a pomáhá dosáhnout kvalitnější povrchové úpravy.

nedostatek:

Vysoké náklady na vybavení: Zařízení pro řezání diamantovým drátem vyžaduje vysokou počáteční investici a vysoké jsou také náklady na údržbu, což může zvýšit celkové výrobní náklady.

Ztráta drátu: Diamantový drát se během procesu nepřetržitého řezání opotřebuje a je třeba jej pravidelně vyměňovat, což nejen zvyšuje náklady na materiál, ale také zvyšuje pracovní zatížení údržby.

Omezená přesnost řezání: Přestože řezání diamantovým drátem funguje dobře v běžných aplikacích, jeho přesnost řezání nemusí splňovat přísnější požadavky tam, kde je třeba zpracovávat složité tvary nebo mikrostruktury.

Navzdory některým výzvám zůstává technologie řezání diamantovým drátem výkonným nástrojem při výrobě destiček SiC. Očekává se, že tato metoda bude hrát stále větší roli, protože technologie postupuje vpřed a zvyšuje se nákladová efektivitaSiC oplatkazpracování v budoucnu.