Infineon představuje první 300mm Power GaN Wafer na světě

Nedávno společnost Infineon Technologies oznámila úspěšný vývoj první 300mm technologie galiumnitridu (GaN) na světě. Díky tomu jsou první společností, která zvládla tuto převratnou technologii a dosáhla hromadné výroby v rámci stávajících velkokapacitních výrobních prostředí. Tato inovace představuje významný pokrok na trhu výkonových polovodičů založených na GaN.

How Does the 300mm Technology Compare to the 200mm Technology?

Ve srovnání s 200mm technologií umožňuje použití 300mm waferů výrobu 2,3krát více GaN čipů na wafer, což výrazně zvyšuje efektivitu výroby a výstup. Tento průlom nejen upevňuje vedoucí postavení společnosti Infineon v oblasti energetických systémů, ale také urychluje rychlý vývoj technologie GaN.

Co o tomto úspěchu řekl generální ředitel společnosti Infineon?

Generální ředitel společnosti Infineon Technologies Jochen Hanebeck uvedl: „Tento pozoruhodný úspěch demonstruje naši silnou sílu v inovacích a je důkazem neúnavného úsilí našeho globálního týmu. Pevně ​​věříme, že tento technologický průlom změní průmyslové normy a odemkne plný potenciál technologie GaN. Téměř rok po naší akvizici společnosti GaN Systems znovu ukazujeme své odhodlání stát se vedoucím hráčem na rychle rostoucím trhu GaN. Jako lídr v oblasti energetických systémů získal Infineon konkurenční výhodu ve třech klíčových materiálech: křemík, karbid křemíku a GaN.“

Generální ředitel společnosti Infineon Jochen Hanebeck vlastní jeden z prvních 300mm waferů GaN Power na světě vyrobených ve stávajícím a škálovatelném velkoobjemovém výrobním prostředí

Proč je 300mm GaN technologie výhodná?

Jednou z významných výhod technologie 300 mm GaN je, že ji lze vyrábět pomocí stávajícího zařízení na výrobu 300 mm křemíku, protože GaN a křemík sdílejí podobnosti ve výrobních procesech. Tato funkce umožňuje společnosti Infineon bezproblémově integrovat technologii GaN do svých současných produkčních systémů, a tím urychlit přijetí a aplikaci této technologie.

Kde Infineon úspěšně vyrobil 300mm GaN destičky?

V současné době Infineon úspěšně vyrábí 300mm wafery GaN na stávajících 300mm křemíkových výrobních linkách ve své elektrárně v rakouském Villachu. V návaznosti na zavedené základy technologie 200mm GaN a výroby 300mm křemíku společnost dále rozšířila své technologické a výrobní možnosti.

Co tento průlom znamená pro budoucnost?

Tento průlom nejen zdůrazňuje silné stránky společnosti Infineon v oblasti inovací a rozsáhlých výrobních kapacit, ale také pokládá pevný základ pro budoucí rozvoj odvětví výkonových polovodičů. Jak se technologie GaN neustále vyvíjí, Infineon bude i nadále podporovat růst trhu a dále posilovat svou vedoucí pozici v globálním polovodičovém průmyslu.**