Co je SiC epitaxe?

Epitaxe karbidu křemíku (SiC) je klíčovou technologií v oblasti polovodičů, zejména pro vývoj výkonných elektronických zařízení. SiC je složený polovodič se širokým pásmovým odstupem, díky čemuž je ideální pro aplikace, které vyžadují vysokoteplotní a vysokonapěťový provoz.

SiC epitaxe je proces růstu tenké vrstvy krystalického materiálu na substrátu, typicky křemíku, pomocí technik chemické depozice z plynné fáze (CVD) nebo epitaxe molekulárním svazkem (MBE). Epitaxní vrstva má stejnou krystalovou strukturu a orientaci jako substrát, což umožňuje vytvoření vysoce kvalitního rozhraní mezi oběma materiály.

SiC epitaxe byla široce používána ve vývoji výkonové elektroniky, včetně výkonových zařízení, jako jsou diody, tranzistory a tyristory. Tato zařízení se používají v široké škále aplikací, jako jsou elektrická vozidla, systémy obnovitelné energie a napájecí zdroje.

V posledních letech roste zájem o vývoj SiC epitaxe pro výrobu vysoce výkonných zařízení pro aplikace, jako jsou elektrická vozidla a systémy obnovitelné energie. Očekává se, že poptávka po těchto zařízeních v nadcházejících letech rychle poroste, a to v důsledku potřeby účinnějších a udržitelnějších energetických systémů.

V reakci na tuto poptávku výzkumní pracovníci a společnosti investují do vývoje technologie epitaxe SiC se zaměřením na zlepšení kvality a snížení nákladů procesu. Některé společnosti například vyvíjejí epitaxi SiC na větších substrátech, aby snížily náklady na plátek, zatímco jiné zkoumají nové techniky ke snížení hustoty defektů.

Epitaxe SiC se také používá při vývoji pokročilých senzorů pro řadu aplikací, včetně snímání plynu, snímání teploty a snímání tlaku. SiC má jedinečné vlastnosti, díky kterým je ideální pro tyto aplikace, jako je stabilita při vysokých teplotách a odolnost vůči drsnému prostředí.