Proces epitaxních plátků je kritickou technikou používanou při výrobě polovodičů. Zahrnuje růst tenké vrstvy krystalického materiálu na povrchu substrátu, který má stejnou krystalovou strukturu a orientaci jako substrát. Tento proces vytváří vysoce kvalitní rozhraní mezi těmito dvěma materiály, což umožňuje vývoj pokročilých elektronických zařízení.

Proces epitaxní destičky se používá při výrobě různých polovodičových součástek, včetně diod, tranzistorů a integrovaných obvodů. Proces se typicky provádí pomocí technik chemické depozice z plynné fáze (CVD) nebo epitaxe molekulárním svazkem (MBE). Tyto techniky zahrnují ukládání atomů materiálu na povrch substrátu, kde tvoří krystalickou vrstvu.

Proces epitaxního plátku je složitá a přesná technika, která vyžaduje přísnou kontrolu nad různými parametry, jako je teplota, tlak a průtok plynu. Růst epitaxní vrstvy musí být pečlivě kontrolován, aby se zajistila tvorba vysoce kvalitní krystalové struktury s nízkou hustotou defektů.

Kvalita procesu epitaxního plátku je rozhodující pro výkon výsledného polovodičového zařízení. Epitaxní vrstva musí mít jednotnou tloušťku, nízkou hustotu defektů a vysokou úroveň čistoty, aby byly zajištěny optimální elektronické vlastnosti. Tloušťku a úroveň dotování epitaxní vrstvy lze přesně ovládat, aby se dosáhlo požadovaných vlastností, jako je vodivost a bandgap.

V posledních letech se proces epitaxních plátků stává stále důležitějším při výrobě vysoce výkonných polovodičových součástek, zejména v oblasti výkonové elektroniky. Poptávka po vysoce výkonných zařízeních se zlepšenou účinností a spolehlivostí vedla k vývoji pokročilých procesů epitaxních plátků.

Proces epitaxního plátku se také používá při vývoji pokročilých senzorů, včetně teplotních senzorů, plynových senzorů a tlakových senzorů. Tyto senzory vyžadují vysoce kvalitní krystalické vrstvy se specifickými elektronickými vlastnostmi, kterých lze dosáhnout pomocí procesu epitaxního plátku.