TaC povlak s metodou CVD

Povlak karbidu tantalu je důležitý vysoce pevný, korozivzdorný a chemicky stabilní vysokoteplotní konstrukční materiál s bodem tání až 4273 °C, jedna z několika sloučenin s nejvyšší teplotní odolností. Má vynikající mechanické vlastnosti při vysokých teplotách, odolnost proti odírání vysokorychlostním prouděním vzduchu, odolnost proti ablaci a dobrou chemickou a mechanickou kompatibilitu s grafitem a kompozity uhlík/uhlík. Proto v epitaxním procesu GaN LED a SiC napájecích zařízení, jako je MOCVD, má povlak TaC vynikající odolnost vůči kyselinám a zásadám vůči H2, HCl, NH3, což může zcela chránit materiál grafitového substrátu a vyčistit růstové prostředí.

TaC povlak zůstává stabilní při teplotách nad 2000 °C, zatímco povlak SiC se začíná rozkládat při 1200-1400 °C, což také výrazně zlepší integritu grafitového substrátu. Povlaky z karbidu tantalu se v současné době připravují na grafitových substrátech převážně pomocí CVD a výrobní kapacita povlaků TaC bude dále posílena, aby uspokojila poptávku po SiC napájecích zařízeních a epitaxních zařízeních GaNLED.

Systém chemické reakce používaný k nanášení povlaků karbidu tantalu na uhlíkové materiály chemickou depozicí z plynné fáze (CVD) je TaCl5, C3H6, H2 a Ar, kde se Ar používá jako ředicí a nosný plyn.

Povlaky z karbidu tantalu hrají klíčovou roli v epitaxním procesu GaN LED a SiC napájecích zařízení využívajících MOCVD. Pokročilé materiály chrání životně důležité součásti a zajišťují jejich dlouhou životnost a výkon v náročných podmínkách spojených s vysokoteplotní výrobou polovodičů.

Vzhledem k tomu, že poptávka po SiC napájecích zařízeních a GaN LED stále narůstá, výrobní kapacita povlaků z karbidu tantalu se bude rozšiřovat. Výrobci jsou připraveni splnit rostoucí požadavky těchto odvětví a usnadnit vývoj vysokoteplotní technologie.

Na závěr,povlaky z karbidu tantalupředstavují neuvěřitelný technologický skok v zajištění odolnosti a spolehlivosti materiálů ve vysokoteplotním prostředí. Vzhledem k tomu, že tyto povlaky pokračují v revoluci v sektoru polovodičů a výkonové elektroniky, podtrhují jejich postavení jako kritického prvku moderních pokroků v oblasti špičkových technologií.