Jaké aplikace substrátu z nitridu galia (GaN)?

Gallium nitrid (GaN)je důležitý materiál v polovodičové technologii, známý pro své výjimečné elektronické a optické vlastnosti. GaN, jako polovodič se širokým pásmem, má energii pásma přibližně 3,4 eV, takže je ideální pro vysoce výkonné a vysokofrekvenční aplikace. Vysoká mobilita elektronů a silné optické vlastnosti GaN vedly k významnému pokroku ve výkonové elektronice a optoelektronických zařízeních.

GaNse vyznačuje vysokou mobilitou elektronů, která je rozhodující pro účinnost polovodičových součástek. Tato vysoká mobilita elektronů je výsledkem robustní krystalové struktury GaN a sníženého rozptylu elektronů, což umožňuje rychlejší přepínání a nižší ztráty energie v elektronických zařízeních. Ve srovnání s tradičními křemíkovými (Si) polovodiči,GaN zařízenímůže pracovat při vyšším napětí a teplotách při zachování vynikající účinnosti. Vysoká mobilita elektronů GaN také přispívá k jeho nízkému odporu, což vede ke snížení ztrát ve vedení a umožňuje výkonovým zařízením na bázi GaN pracovat s větší účinností a menším vývinem tepla.

Optické vlastnosti GaN

Kromě elektronických vlastností,GaNje známý pro své silné optické vlastnosti.GaNmá jedinečnou schopnost vyzařovat světlo v širokém spektru, od ultrafialového (UV) po viditelné světlo, což z něj činí klíčový materiál ve vývoji optoelektronických zařízení, jako jsou diody vyzařující světlo (LED) a laserové diody. LED diody založené na GaN jsou vysoce účinné, s dlouhou životností a šetří energii, zatímco laserové diody na bázi GaN jsou nezbytné pro optická paměťová zařízení s vysokou hustotou a nacházejí uplatnění v průmyslových a lékařských oborech.

GaN ve výkonových a optoelektronických zařízeních

GaNDíky vysoké mobilitě elektronů a silným optickým vlastnostem je vhodný pro širokou škálu aplikací. Ve výkonové elektronice vynikají zařízení GaN díky své schopnosti zvládnout vyšší napětí bez poruchy a jejich nízkému odporu při zapnutí, díky čemuž jsou ideální pro výkonové měniče, invertory a RF zesilovače. V optoelektronice GaN i nadále podporuje pokrok v LED a laserových technologiích a přispívá k vývoji energeticky účinných řešení osvětlení a vysoce výkonných zobrazovacích technologií.

Potenciál vznikajících polovodičových materiálů

Jak technologie pokračuje vpřed, objevují se nové polovodičové materiály s potenciálem způsobit revoluci v tomto odvětví. Mezi tyto materiály patříOxid galia (Ga₂O₃)a Diamond vynikají jako mimořádně slibné.

Oxid galia se svým ultra širokým pásmovým odstupem 4,9 eV získává pozornost jako materiál pro vysoce výkonná elektronická zařízení nové generace.Ga₂03Schopnost odolat extrémně vysokému napětí z něj činí vynikajícího kandidáta pro aplikace ve výkonové elektronice, kde je rozhodující účinnost a tepelné řízení.

Na druhou stranu je Diamond proslulý svou výjimečnou tepelnou vodivostí a extrémně vysokou mobilitou nosiče, což z něj činí výjimečně atraktivní materiál pro vysoce výkonné a vysokofrekvenční aplikace. Integrace diamantu do polovodičových zařízení by mohla vést k výraznému zlepšení výkonu a spolehlivosti, zejména v prostředích, kde je rozptyl tepla kritický.

Gallium nitridse pevně etabloval jako základní materiál v polovodičovém průmyslu díky své vysoké mobilitě elektronů a silným optickým vlastnostem. Jeho aplikace ve výkonové elektronice a optoelektronických zařízeních přinesly podstatný pokrok v technologii a umožnily efektivnější a kompaktnější řešení. Vzhledem k tomu, že průmysl pokračuje ve zkoumání nových materiálů, jako je oxid galia a diamant, potenciál pro další inovace v polovodičové technologii je obrovský. Tyto vznikající materiály v kombinaci s osvědčenými schopnostmi GaN jsou připraveny utvářet budoucnost elektroniky a optoelektroniky v nadcházejících letech.

---

Semicorex nabízí vysokou kvalitupolovodičové destičkypro polovodičový průmysl Máte-li jakékoli dotazy nebo potřebujete další podrobnosti, neváhejte nás kontaktovat.

Kontaktní telefon +86-13567891907

E-mail: sales@semicorex.com