- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Novinky z oboru
Aplikace karbidu křemíku
Karbid křemíku má velké množství aplikací v nově vznikajících průmyslových odvětvích a tradičních průmyslových odvětvích. V současné době celosvětový trh s polovodiči přesáhl 100 miliard juanů. Očekává se, že do roku 2025 dosáhnou celosvětové prodeje materiálů pro výrobu polovodičů 39,5 miliardy ame......
Přečtěte si více
Úvod do procesu implantace a žíhání iontů karbidu křemíku
V tradiční výrobě křemíkových energetických zařízení stojí vysokoteplotní difúze a iontová implantace jako primární metody pro kontrolu dopantů, přičemž každá má své výhody a nevýhody. Typicky je vysokoteplotní difúze charakteristická svou jednoduchostí, nákladovou efektivitou, izotropními distribuč......
Přečtěte si více
Epitaxní vrstvy: Základ pokročilých polovodičových zařízení
V polovodičovém průmyslu hrají epitaxní vrstvy klíčovou roli při vytváření specifických monokrystalických tenkých filmů na povrchu waferového substrátu, souhrnně známých jako epitaxní wafery. Zejména epitaxní vrstvy karbidu křemíku (SiC) pěstované na vodivých SiC substrátech produkují homogenní SiC ......
Přečtěte si více
Zásadní role epitaxních vrstev v polovodičových zařízeních
Epitaxní růst označuje proces růstu krystalograficky dobře uspořádané monokrystalické vrstvy na substrátu. Obecně řečeno, epitaxní růst zahrnuje kultivaci krystalové vrstvy na monokrystalickém substrátu, přičemž vyrostlá vrstva sdílí stejnou krystalografickou orientaci jako původní substrát. Epitaxe......
Přečtěte si více
