Víme, že další epitaxní vrstvy je třeba postavit na vršek některých plátkových substrátů pro výrobu zařízení, typicky zařízení vyzařujících světlo LED, která vyžadují epitaxní vrstvy GaAs na křemíkových substrátech; Epitaxní vrstvy SiC se pěstují na vodivých substrátech SiC pro stavební zařízení, ja......
Přečtěte si víceCelosvětový prodej zařízení pro výrobu polovodičů vzrostl o 5 procent ze 102,6 miliardy USD v roce 2021 na historický rekord 107,6 miliardy USD v loňském roce, SEMI, průmyslové sdružení zastupující globální dodavatelský řetězec pro návrh a výrobu elektroniky.
Přečtěte si víceProces CVD pro epitaxi plátku SiC zahrnuje nanášení filmů SiC na substrát SiC pomocí reakce v plynné fázi. Prekurzorové plyny SiC, typicky methyltrichlorsilan (MTS) a ethylen (C2H4), jsou zavedeny do reakční komory, kde je substrát SiC zahříván na vysokou teplotu (obvykle mezi 1400 a 1600 stupni Cel......
Přečtěte si víceJaponsko nedávno omezilo vývoz 23 typů zařízení na výrobu polovodičů. Oznámení vyvolalo vlnu v celém odvětví, protože se očekává, že tento krok bude mít významný dopad na globální dodavatelské řetězce pro výrobu polovodičů.
Přečtěte si víceZatímco v současnosti existuje přebytek paměťových polovodičů v důsledku stagnující globální ekonomiky, analogových čipů pro automobilové a průmyslové aplikace je stále nedostatek. Dodací lhůty pro tyto analogové čipy mohou být až 40 týdnů ve srovnání s přibližně 20 týdny u zásob pamětí.
Přečtěte si více