- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Zprávy
Růstová krystalová pec z karbidu křemíku (SiC).
Růst krystalů je základním článkem při výrobě substrátů z karbidu křemíku a základním zařízením je pec pro růst krystalů. Podobně jako u tradičních pecí pro růst krystalů krystalického křemíku není konstrukce pece příliš složitá a skládá se hlavně z tělesa pece, topného systému, mechanismu cívkového......
Přečtěte si více
Aplikace a vývojové výzvy grafitových komponent s povlakem TaC
Polovodičové materiály třetí generace s širokým pásmovým odstupem, jako je nitrid galia (GaN) a karbid křemíku (SiC), jsou známé pro svou výjimečnou optoelektronickou konverzi a přenos mikrovlnného signálu. Tyto materiály splňují náročné požadavky na vysokofrekvenční, vysokoteplotní, vysoce výkonná ......
Přečtěte si více
Aplikace karbidu křemíku
Karbid křemíku má velké množství aplikací v nově vznikajících průmyslových odvětvích a tradičních průmyslových odvětvích. V současné době celosvětový trh s polovodiči přesáhl 100 miliard juanů. Očekává se, že do roku 2025 dosáhnou celosvětové prodeje materiálů pro výrobu polovodičů 39,5 miliardy ame......
Přečtěte si více
Co je to loď SiC a jaké jsou její různé výrobní procesy?
Lodička SiC, zkratka pro loď z karbidu křemíku, je příslušenství odolné vůči vysokým teplotám používané v trubkách pecí k přenášení plátků při vysokoteplotním zpracování. Díky vynikajícím vlastnostem karbidu křemíku, jako je odolnost vůči vysokým teplotám, chemická koroze a vynikající tepelná stabil......
Přečtěte si více
Úvod do procesu implantace a žíhání iontů karbidu křemíku
V tradiční výrobě křemíkových energetických zařízení stojí vysokoteplotní difúze a iontová implantace jako primární metody pro kontrolu dopantů, přičemž každá má své výhody a nevýhody. Typicky je vysokoteplotní difúze charakteristická svou jednoduchostí, nákladovou efektivitou, izotropními distribuč......
Přečtěte si více
