- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Zprávy
Představujeme základní technologii grafitového člunu
Graphite Boat, stojí v popředí technologických inovací ve svém odvětví, představuje sadu průkopnických vylepšení navržených pro zvýšení výkonu, čistoty a životnosti. Níže se ponoříme do základních technologií, které definují dokonalost grafitových lodí:
Přečtěte si více
Porézní grafit pro vysoce kvalitní růst krystalů SiC metodou PVT
Karbid křemíku (SiC) se ukázal jako klíčový materiál v oblasti polovodičové technologie, který nabízí výjimečné vlastnosti, díky nimž je vysoce žádoucí pro různé elektronické a optoelektronické aplikace. Výroba vysoce kvalitních monokrystalů SiC je zásadní pro rozvoj schopností zařízení, jako je výk......
Přečtěte si více
3 způsoby tvarování grafitu
Čtyři hlavní způsoby lisování pro lisování grafitu jsou: vytlačování, lisování, vibrační lisování a izostatické lisování. Většina běžných uhlíkových/grafitových materiálů na trhu je lisována vytlačováním za tepla a lisováním (za studena nebo za tepla) a izostatické lisování je metoda s předním lisov......
Přečtěte si více
Co je izostatický grafit?
Speciálním grafitem je grafit s podílem uhlíkové hmotnosti větším než 99,99 %, také známý jako „tři vysoký grafit“ (vysoká pevnost, vysoká hustota, vysoká čistota). Vyznačuje se vysokou pevností, vysokou hustotou, vysokou čistotou, vysokou chemickou stabilitou, vysokou tepelnou a elektrickou vodivos......
Přečtěte si více
Představujeme fyzikální transport par (PVT)
Vlastní vlastnosti SiC určují, že růst monokrystalů je obtížnější. Vzhledem k nepřítomnosti kapalné fáze Si:C=1:1 při atmosférickém tlaku nelze vyspělejší proces růstu přijatý hlavním proudem polovodičového průmyslu použít k růstu vyspělejší metody růstu – metoda přímého tažení, klesající kelímek. m......
Přečtěte si více
Vydáno 850V vysoce výkonné GaN HEMT epitaxní produkty
V listopadu 2023 společnost Semicorex uvedla na trh 850V GaN-on-Si epitaxní produkty pro aplikace vysokonapěťových a vysokoproudých napájecích zařízení HEMT. Ve srovnání s jinými substráty pro výkonová zařízení HMET umožňuje GaN-on-Si větší velikosti waferů a rozmanitější aplikace a lze jej také ryc......
Přečtěte si více
