Porézní grafit s povlakem TaC

Semicorex Porous Graphite with TaC Coating spojuje jedinečné vlastnosti porézního grafitu s ochrannými a zlepšujícími schopnostmi TaC povlaku a nabízí významná zlepšení oproti tradičním materiálům používaným ve vysokoteplotních kelímcích.

Grafit a porézní grafit, i když jsou široce používány pro svou tepelnou stabilitu a elektrickou vodivost, představují významné výzvy ve vysokoteplotních prostředích. Zejména porézní grafit je preferován pro svou vysokou propustnost, která umožňuje lepší proudění plynu a rovnoměrné rozložení teploty. Jeho vysoká poréznost ho však činí mechanicky slabým, což vede k potížím při obrábění a přesném tvarování materiálu. Kromě toho může porézní struktura vést k uvolňování částic, které kontaminují krystaly SiC. Porézní grafit je také náchylný k chemickému leptání a degradaci za vysokých teplot a reaktivních prostředí, což narušuje integritu kelímku. Podobně, zatímco prášky karbidu tantalu (TaC) se často používají k povlékání nebo smíchání s grafitem pro zlepšení jeho vlastností, jejich rovnoměrná aplikace a adheze mohou být náročné, což vede k nerovným povrchům a potenciální kontaminaci.

Produkt Porézní grafit s povlakem TaC účinně překonává výše uvedené výzvy integrací nejlepších vlastností obou materiálů:

Zvýšená mechanická pevnost: Povlak TaC výrazně zvyšuje mechanickou pevnost porézního grafitu, díky čemuž se porézní grafit s povlakem TaC snadněji obrábí a tvaruje, aniž by byla ohrožena strukturální integrita materiálu.

Snížené uvolňování částic: Povlak TaC tvoří ochrannou vrstvu na porézním grafitu, čímž se snižuje pravděpodobnost odlupování částic a kontaminace krystalů SiC.

Vylepšená chemická odolnost: TaC je vysoce odolný proti chemickému leptání a degradaci a poskytuje trvanlivou bariéru, která chrání porézní grafit před reaktivními plyny a prostředím s vysokou teplotou.

Tepelná stabilita a vodivost: Grafit i TaC vykazují vynikající tepelnou stabilitu a vodivost. Kombinace porézního grafitu s povlakem TaC zajišťuje, že kelímek udržuje rovnoměrné rozložení teploty, což je klíčové pro bezdefektní růst krystalů SiC.

Optimalizovaná propustnost: Vlastní pórovitost grafitu umožňuje účinné proudění plynu a tepelné řízení, zatímco povlak TaC zajišťuje zachování této propustnosti, aniž by byla ohrožena integrita materiálu.

Semicorex porézní grafit s povlakem TaC představuje významný pokrok v materiálech používaných pro růst krystalů SiC. Tím, že řeší mechanické, chemické a tepelné problémy spojené s tradičními grafitovými a TaC prášky, porézní grafit s povlakem TaC zajišťuje krystaly SiC vyšší kvality s menším počtem defektů. Kombinace propustnosti porézního grafitu a ochranných vlastností TaC nabízí robustní řešení pro vysokoteplotní aplikace, což z něj činí základní materiál při výrobě pokročilých polovodičů a elektronických zařízení.