Kroužek SiC Focus

Semicorex SiC Focus Ring je precizně navržená součástka ve tvaru prstence, vyrobená z vysoce čistého karbidu křemíku. SiC Focus Ring je navržen pro pokročilé aplikace zpracování polovodičů. Vysoce čistý karbid křemíku poskytuje vynikající výkon, pokud jde o tepelnou stabilitu (vysoký bod tání), mechanickou odolnost (vysoká tvrdost) a elektrické vodivé vlastnosti, což je zásadní pro splnění specifikací mnoha technologií výroby plátků nové generace. SiC Focus Ring jsou komponenty, které se nacházejí v komponentech plazmové leptací a nanášecí komory a hrají zásadní roli při řízení distribuce plazmy, dosahování stejnoměrnosti plátků a výtěžnosti při hromadné výrobě.

Čistota materiálu a elektrický výkon kroužku SiC Focus Ring jsou některé z nejkritičtějších faktorů, které definují tuto součást a odlišují ji od keramických materiálů. Vysoká čistotakarbid křemíkuje na rozdíl od tradičních keramických materiálů, protože poskytuje kombinaci 

tvrdost a také odolnost vůči mnoha chemikáliím a jedinečné elektrické vlastnosti. A co je ještě důležitější, vysoce čistý karbid křemíku lze zkonstruovat pomocí příměsí a metod zpracování, aby se dosáhlo nejvhodnější úrovně vodivého nebo škodlivého výkonu s ideální polovodičovou rovnováhou pro interakci s plazmou, což umožňuje stabilní výkon ve vysokoenergetických prostředích, kde nárůst náboje a elektrická nerovnováha pravděpodobněji způsobí chyby procesu.

Díky okrajovému efektu plazmatu je hustota vyšší ve středu a nižší na okrajích. Ohniskový prstenec díky svému prstencovému tvaru a materiálovým vlastnostem CVD SiC generuje specifické elektrické pole. Toto pole vede a omezuje nabité částice (ionty a elektrony) v plazmatu na povrch plátku, zejména na okraji. To účinně zvyšuje hustotu plazmatu na okraji a přibližuje ho plazmě ve středu. To výrazně zlepšuje rovnoměrnost leptání na plátku, snižuje poškození hran a zvyšuje výtěžnost.

Mercury Manufacturing zpracovává kroužek SiC Focus pomocí sofistikovaných procesů obrábění a leštění, které dosahují úzkých rozměrových tolerancí a hladkého povrchu. Rozměrová přesnost těchto komponent umožňuje kompatibilitu s různými dodavateli polovodičových zařízení, aby byla zajištěna zaměnitelnost napříč mnoha systémy plazmového leptání a nanášení. Zakázkové návrhy mohou být také vyvinuty tak, aby splňovaly specifické požadavky procesu, včetně tloušťky prstence, vnitřního a vnějšího průměru a úrovní povrchové vodivosti.

Aplikace SiC Focus Ring pokrývají široké pole výroby polovodičů: DRAM, NAND flash, logická zařízení a nové technologie výkonových polovodičů. Vzhledem k tomu, že se geometrie zařízení zmenšují a pokračují v postupu přes procesní uzly, potřeba vysoce spolehlivých stabilních komponent komory, jako je SiC Focus Ring, se stává kritickou. Kroužek SiC Focus Ring umožňuje přesnou kontrolu plazmy a trvale zlepšuje kvalitu waferů, čímž podporuje ambice odvětví směrem ke stále menším, rychlejším a účinnějším elektronickým zařízením. Semicorex SiC Focus Ring definuje průsečík vědy o materiálech, přesného inženýrství a vývoje polovodičových procesů. SiC Focus Ring má vynikající tepelnou stabilitu, vynikající chemickou odolnost a téměř specifickou elektrickou vodivost. Tyto vlastnosti z něj činí kritickou součást při zajišťování spolehlivosti a výnosu během procesů.