TAC povlak půl měsíce

Ceramika TAC má bod tání až do 3880 ° C, vysokou tvrdost (tvrdost MOHS 9-10), velká tepelná vodivost (22 W · M-1 · K-1), velká ohybová pevnost (340-400MPA) a koeficient malé tepelné expanze (6,6 × 10-6 k-1). Vykazují také vynikající termochemickou stabilitu a vynikající fyzikální vlastnosti a mají dobrou chemickou a mechanickou kompatibilitu s kompozity grafitu a C/C. Proto jsou povlaky TAC široce používány v tepelné ochraně letectví, růstu s jedním krystalem, energetické elektronice a zdravotnických prostředcích.

Grafit potažený TAC má lepší chemickou odolnost proti korozi než holý grafit nebo grafit potažený SiC, lze použít stabilně při vysokých teplotách 2600 ° a nereaguje s mnoha kovovými prvky. Je to nejlepší povlak ve scénářích polovodičového růstu a leptání oplatky třetí generace a může výrazně zlepšit kontrolu teploty a nečistot v tomto procesu a připravit vysoce kvalitní křemíkové karbidové oplatky a související epitaxiální oplatky. Je zvláště vhodný pro pěstování jednokrystalů GAN nebo ALN s vybavením MOCVD a pěstování sic monokrystalů s zařízením PVT. Kvalita dospělých monokrystalů se výrazně zlepšuje.

Tento produkt je ideálním řešením pro výrobce, kteří upřednostňují přesnost, účinnost a trvanlivost v jejich epitaxových procesech. Důvěřujte Semicorex pro vysoce výkonná řešení navržená tak, aby vyhovovala rozvíjejícím se potřebám polovodičového průmyslu.