Semicorex Tantalum Carbide Coated Porous Graphite je nejnovější inovací v technologii růstu krystalů karbidu křemíku (SiC). Semicorex se zavázal poskytovat kvalitní produkty za konkurenceschopné ceny, těšíme se, že se staneme vaším dlouhodobým partnerem v Číně*.
SemicorexKarbid tantaluPovlakovaný porézní grafit je speciálně navržen pro optimalizaci různých aspektů procesu růstu krystalů SiC, včetně filtrace parních složek, místního nastavení teplotního gradientu, vedení směru proudění a kontroly úniku.
Porézní povaha porézního grafitu potaženého karbidem tantalu umožňuje účinnou filtraci parních složek během procesu růstu krystalů SiC. To zajišťuje, že pouze požadované materiály přispívají k tvorbě krystalů, zlepšují čistotu a celkovou kvalitu. Udržování přesné regulace teploty je zásadní pro růst krystalů. Porézní grafit potažený karbidem tantalu zvyšuje tepelnou stabilitu a vodivost porézního grafitu, což umožňuje přesnější nastavení místních teplotních gradientů. To vede k lepší kontrole morfologie krystalů a rychlosti růstu. Strukturální design porézního grafitu s povlakem karbidu tantalu v kombinaci s povlakem TaC usnadňuje řízený tok látek. To zajišťuje, že materiály jsou dodávány přesně tam, kde je to potřeba, podporuje jednotný růst krystalů a snižuje pravděpodobnost defektů. Účinná kontrola úniku materiálu je životně důležitá pro zachování integrity růstového prostředí. Porézní grafit potažený karbidem tantalu poskytuje vynikající těsnicí vlastnosti, zabraňuje nežádoucím únikům a zajišťuje stabilní a řízenou růstovou atmosféru.
Výhody porézního grafitu potaženého karbidem tantalu:
Vysoký bod tání a tepelná stabilita:TaCmá výjimečně vysoký bod tání (kolem 3880 °C) a vynikající tepelnou stabilitu, díky čemuž je porézní grafit potažený karbidem tantalu ideální pro vysokoteplotní aplikace, jako je růst krystalů SiC.
Chemická inertnost: TaC je vysoce odolný vůči chemickým reakcím, což zajišťuje, že povlak zůstane neporušený a účinný i v agresivním prostředí.
Zvýšená životnost: Povlak TaC výrazně zvyšuje odolnost porézního grafitu, prodlužuje provozní životnost porézního grafitu potaženého karbidem tantalu a snižuje potřebu častých výměn.
Vysoká pórovitost: Vysoká pórovitost grafitu umožňuje účinnou filtraci a řízení průtoku, což je nezbytné pro vysoce kvalitní růst krystalů.
Lehký a pevný: Porézní grafit je lehký a mechanicky pevný, takže se s ním snadno manipuluje a je schopen odolat náročným podmínkám procesu růstu krystalů.
Tepelná vodivost: Vynikající tepelná vodivost grafitu zajišťuje efektivní distribuci tepla, což je klíčové pro udržení konzistentních teplotních gradientů.
Porézní grafit potažený karbidem tantalu Semicorex představuje významný pokrok v materiálech pro růst krystalů SiC. Spojením jedinečných vlastností TaC s inherentními výhodami porézního grafitu poskytuje tento materiál vynikající výkon při filtraci složek páry, nastavení teplotního gradientu, vedení směru proudění a kontrole úniku. Jeho robustní tepelná stabilita, chemická inertnost a zvýšená odolnost z něj činí neocenitelný přínos při hledání vysoce kvalitních krystalů SiC.