6'' Wafer Carrier pro Aixtron G5

Semicorex 6'' Wafer Carrier pro Aixtron G5, často označovaný jako susceptory, hraje zásadní roli tím, že bezpečně drží polovodičové wafery během vysokoteplotního zpracování. Susceptory zajišťují, že plátky zůstávají ve fixní poloze, což je klíčové pro rovnoměrné nanášení vrstvy:

Tepelný management:

6'' Wafer Carrier pro Aixtron G5 je navržen tak, aby poskytoval rovnoměrné zahřívání a chlazení na povrchu destičky, což je kritické pro procesy epitaxního růstu používané k vytváření vysoce kvalitních polovodičových vrstev.

Epitaxní růst:

SiC a GaN vrstvy:

Platforma Aixtron G5 se primárně používá pro epitaxní růst vrstev SiC a GaN. Tyto vrstvy jsou zásadní při výrobě tranzistorů s vysokou elektronovou pohyblivostí (HEMT), LED diod a dalších pokročilých polovodičových zařízení.

Přesnost a jednotnost:

Vysoká přesnost a jednotnost požadovaná v procesu epitaxního růstu je usnadněna výjimečnými vlastnostmi 6'' nosiče Wafer pro Aixtron G5. Nosič pomáhá dosáhnout přísné tloušťky a jednotnosti složení potřebné pro vysoce výkonná polovodičová zařízení.

Výhody:

Stabilita při vysokých teplotách:

Tolerance extrémních teplot:

6'' Wafer Carrier pro Aixtron G5 vydrží extrémně vysoké teploty, často přesahující 1600 °C. Tato stabilita je zásadní pro epitaxní procesy, které vyžadují trvalé vysoké teploty po delší dobu.

Tepelná integrita:

Schopnost 6'' Wafer Carrier pro Aixtron G5 zachovat strukturální integritu při tak vysokých teplotách zajišťuje konzistentní výkon a snižuje riziko tepelné degradace, která by mohla ohrozit kvalitu polovodičových vrstev.

Vynikající tepelná vodivost:

Rozvod tepla:

Vysoká tepelná vodivost SiC usnadňuje účinný přenos tepla přes povrch plátku a zajišťuje rovnoměrný teplotní profil. Tato uniformita je zásadní pro zamezení tepelným gradientům, které mohou vést k defektům a nerovnoměrnostem v epitaxních vrstvách.

Vylepšené řízení procesu:

Vylepšené tepelné řízení umožňuje lepší kontrolu nad procesem epitaxního růstu a umožňuje výrobu polovodičových vrstev vyšší kvality s menším počtem defektů.

Chemická odolnost:

Kompatibilita s korozivním prostředím:

The 6'' Wafer Carrier for Aixtron G5 provides exceptional resistance to the corrosive gases commonly used in CVD processes, such as hydrogen and ammonia. This resistance prolongs the lifespan of the wafer carriers by protecting the graphite substrate from chemical attack.

Snížené náklady na údržbu:

Odolnost 6'' Wafer Carrier pro Aixtron G5 snižuje frekvenci údržby a výměn, což vede k nižším provozním nákladům a delší době provozu zařízení Aixtron G5.

Nízký koeficient tepelné roztažnosti (CTE):

Minimalizované tepelné namáhání:

Nízký CTE SiC pomáhá minimalizovat tepelné namáhání během rychlých cyklů zahřívání a chlazení, které jsou vlastní procesům epitaxního růstu. Toto snížení tepelného namáhání snižuje pravděpodobnost prasknutí nebo deformace plátku, což může vést k selhání zařízení.

Kompatibilita s vybavením Aixtron G5:

Design na míru:

Semicorex 6'' Wafer Carrier pro Aixtron G5 je speciálně navržen tak, aby byl kompatibilní se zařízením Aixtron G5, což zajišťuje optimální výkon a bezproblémovou integraci.

Maximalizovaný výkon:

Tato kompatibilita maximalizuje výkon a efektivitu systému Aixtron G5 a umožňuje mu splnit náročné požadavky moderních procesů výroby polovodičů.