AIN substrát

Bezkonkurenční tepelná vodivost a elektrická izolace

Substrát AIN od Semicorex vyniká především díky své výjimečné tepelné vodivosti, která je klíčová pro řízení tepla ve výkonných elektronických zařízeních. Se standardní tepelnou vodivostí 175 W/m·K a možnostmi pro vysokou (200 W/m·K) a ultra vysokou tepelnou vodivost (230 W/m·K) substrát AIN účinně odvádí teplo a zajišťuje tak dlouhou životnost a spolehlivost komponent. Ve spojení se svými silnými elektrickými izolačními vlastnostmi je AIN Substrát preferovaným materiálem pro montážní podložky, desky plošných spojů (PCB) a obaly pro vysoce výkonné a vysoce spolehlivé součástky, stejně jako rozvaděče tepla a různé elektronické obvody.

Kompatibilita se silikonem a tepelnou roztažností

Jednou z výjimečných vlastností substrátu AIN je jeho koeficient tepelné roztažnosti (CTE), který se pohybuje od 4 do 6 x 10^-6/K mezi 20 a 1000 °C. Tento CTE je úzce sladěn s CTE křemíku, díky čemuž je substrát AIN ideálním materiálem pro polovodičový průmysl a obaly elektronických zařízení. Tato kompatibilita snižuje riziko tepelného namáhání a zajišťuje bezproblémovou integraci s komponentami na bázi křemíku, čímž se zvyšuje celkový výkon a spolehlivost zařízení.

Přizpůsobení pro různé potřeby

Semicorex nabízí rozsáhlé služby přizpůsobení pro AIN Substrate, což umožňuje řešení šitá na míru pro splnění specifických požadavků aplikace. Ať už je potřeba typ broušení, typ okamžitého vypalování, vysoký odpor v ohybu, vysoká tepelná vodivost, typ leštění nebo typ laserového rytí, Semicorex může poskytnout substráty, které jsou optimalizovány pro požadované výkonnostní charakteristiky. Tato úroveň přizpůsobení zajišťuje, že klienti obdrží substráty, které přesně splňují jejich tepelné, mechanické a elektrické potřeby.

Všestrannost v metalizaci a elektronických aplikacích

Substrát AIN od společnosti Semicorex je kompatibilní s různými technikami pokovování, včetně Direct Plated Copper (DPC), Direct Bonded Copper (DBC), Thick Film Printing, Thin Film Printing a Active Metal Brazing (AMB). Díky této všestrannosti je vhodný pro širokou škálu elektronických aplikací, od vysoce výkonných LED diod a integrovaných obvodů (IC) až po bipolární tranzistory s izolovaným hradlem (IGBT) a bateriové aplikace. Adaptabilita substrátu na různé metody metalizace zajišťuje, že jej lze efektivně použít v různých elektronických systémech.

Schopnosti ultratenkého designu

Pro aplikace, kde jsou kritickými faktory prostor a hmotnost, nabízí Semicorex substráty AIN s tloušťkou až 0,1 mm. Tato ultratenká konstrukce umožňuje vývoj kompaktních a lehkých elektronických zařízení bez kompromisů v oblasti výkonu nebo spolehlivosti. Schopnost vyrábět takové tenké substráty dále rozšiřuje rozsah aplikací a zvyšuje flexibilitu návrhu pro inženýry a designéry.

Bezpečná a ekologická alternativa k BeO

V polovodičovém průmyslu je nitrid hliníku stále více používán jako náhrada za oxid berylnatý (BeO) kvůli jeho nezávadnosti při obrábění. Na rozdíl od BeO, který při zpracování představuje značná zdravotní rizika, je AlN bezpečný při manipulaci a zpracování, což z něj činí ekologičtější a bezpečnější alternativu. Tento posun nejen zlepšuje bezpečnost pracovníků, ale je také v souladu s přísnějšími environmentálními předpisy a cíli udržitelnosti.

Vysoká mechanická pevnost

Mechanická pevnost substrátu AIN je další kritickou výhodou. Díky dvouosé pevnosti přesahující 320 MPa substrát zajišťuje trvanlivost a odolnost při mechanickém namáhání. Tato vysoká mechanická pevnost je životně důležitá pro aplikace, které vyžadují robustní a spolehlivé materiály, zejména ve vysoce výkonné elektronice a náročných provozních prostředích. Odolnost AIN Substrate přispívá k dlouhé životnosti a spolehlivosti zařízení, ve kterých je použit.

Široké spektrum aplikací

Jedinečné vlastnosti substrátu AIN jej předurčují pro široké spektrum vysoce výkonných a vysoce výkonných aplikací:

Vysoce výkonné LED: Výjimečné schopnosti tepelného managementu AIN Substrate zajišťují efektivní provoz a prodlouženou životnost vysoce výkonných LED.

Integrované obvody (IC): Elektrická izolace a tepelná vodivost substrátu AIN z něj činí ideální volbu pro integrované obvody, které zvyšují výkon a spolehlivost.

Bipolární tranzistory s izolovanou bránou (IGBT): Schopnost substrátu zvládat vysokou výkonovou a tepelnou zátěž je zásadní pro provoz IGBT v různých aplikacích výkonové elektroniky.

Aplikace baterií: V bateriových technologiích poskytuje substrát AIN efektivní tepelné řízení, čímž zlepšuje bezpečnost a výkon.

Piezoelektrické aplikace: Mechanická pevnost a tepelné vlastnosti substrátu podporují vysoce přesná piezoelektrická zařízení.

Vysoce výkonné motory: Tepelná vodivost a odolnost substrátu AIN zvyšují účinnost a životnost vysoce výkonných motorů.

Quantum Computing: Přesné tepelné řízení a elektrické izolační vlastnosti AIN Substrate jej činí vhodným pro pokročilé kvantové výpočetní aplikace.