Epi-SiC receptor

Semicorex Epi-SiC Susceptor, který je soutokem odolnosti vůči vysokým teplotám, chemické inertnosti a vynikající tepelné difúze, je vzorem odolnosti a účinnosti tváří v tvář intenzivním podmínkám, které jsou synonymem snah o epitaxní růst. Aplikace povlaku SiC významně zvyšuje tepelné vlastnosti susceptoru Epi-SiC. Toto vylepšení usnadňuje rovnoměrnou distribuci tepla, která je nezbytná pro zahřívání destiček, což je klíčové pro nanášení konzistentních, vysoce kvalitních epitaxních vrstev napříč polovodičovými destičkami.

Susceptor Epi-SiC, vyrobený na míru pro splnění náročných požadavků epitaxních procesů plátků, podporuje bezproblémový transport plátků v prostředí pece. Jeho robustní konstrukce je hrází proti posunutí plátku nebo kompromisu, čímž zmírňuje výskyt poškození v kritických fázích vývoje epitaxní vrstvy. Susceptor Epi-SiC navíc působí jako ochranná bariéra pro grafitový substrát pod ním a chrání jej před chemickými interakcemi a otěrem, které mohou vyvolat epitaxní procesy.

Fúze pružného grafitového jádra s ochranným povlakem SiC nejen posiluje výkonnostní metriky susceptoru Epi-SiC, ale také výrazně prodlužuje jeho životnost. Výsledkem je investice, která přináší dividendy ve formě trvalých provozních úspor pro podniky vyrábějící polovodiče, což řadí susceptor Epi-SiC jako rozumnou volbu pro ty, kteří chtějí optimalizovat své výrobní operace.