Substráty SiC jsou nejdůležitější složkou v průmyslu karbidu křemíku a představují téměř 50 % jeho hodnoty. Bez SiC substrátů je nemožné vyrábět SiC zařízení, což z nich činí základní materiálový základ.
Dummy Wafer je specializovaný wafer používaný především k plnění strojního zařízení během procesu výroby waferů.
Existuje mnoho typů nitridu galia (GaN), přičemž nejvíce diskutovaný je GaN na bázi křemíku. Tato technologie zahrnuje pěstování materiálů GaN přímo na křemíkovém substrátu.
Americké ministerstvo energetiky (DOE) nedávno potvrdilo půjčku 544 milionů dolarů společnosti SK Siltron, výrobci polovodičových destiček pod SK Group.
Uhlíkové vlákno (CF) je typ vláknitého materiálu, který obsahuje více než 95 % uhlíku.