ICP Silicon Carbon Coated Graphite

Nosiče plátků používané při zpracování epitaxního růstu musí vydržet vysoké teploty a drsné chemické čištění. Semicorex ICP Silicon Carbon Coated Graphite susceptory jsou navrženy speciálně pro tyto náročné aplikace epitaxních zařízení. Náš produkt je navržen tak, aby vydržel vysoké teploty a drsné chemické čištění, což zajišťuje dlouhou životnost a optimální výsledky.
Náš grafit ICP Silicon Carbon Coated Graphite je navržen tak, aby dosáhl nejlepšího laminárního vzoru proudění plynu a zajistil rovnoměrnost tepelného profilu. To pomáhá předcházet jakékoli kontaminaci nebo difúzi nečistot a zajišťuje vysoce kvalitní epitaxní růst na waferovém čipu.
Kontaktujte nás ještě dnes a zjistěte více o našem ICP Silicon Carbon Coated Graphite.

Parametry ICP Silicon Carbon Coated Graphite

Vlastnosti ICP Silicon Carbon Coated Graphite

- Zabraňte odlupování a zajistěte povlak na celém povrchu

Odolnost proti oxidaci při vysokých teplotách: Stabilní při vysokých teplotách až do 1600 °C

Vysoká čistota: vyrobeno chemickou depozicí z par CVD za podmínek chlorace při vysoké teplotě.

Odolnost proti korozi: vysoká tvrdost, hustý povrch a jemné částice.

Odolnost proti korozi: kyselinám, zásadám, solím a organickým činidlům.

- Dosáhněte nejlepšího vzoru laminárního proudění plynu

- Garance rovnoměrnosti tepelného profilu

- Zabraňte jakékoli kontaminaci nebo šíření nečistot