Povlak SiC je tenká vrstva na susceptoru prostřednictvím procesu chemické depozice z plynné fáze (CVD). Materiál z karbidu křemíku poskytuje oproti křemíku řadu výhod, včetně 10x vyšší intenzity průrazného elektrického pole, 3x šířky zakázaného pásu, což poskytuje materiálu vysokou teplotní a chemickou odolnost, vynikající odolnost proti opotřebení a tepelnou vodivost.
Semicorex poskytuje přizpůsobené služby, pomáhá vám inovovat komponenty, které vydrží déle, zkracují doby cyklů a zvyšují výnosy.
Povlak SiC má několik jedinečných výhod
Odolnost vůči vysokým teplotám: Susceptor potažený CVD SiC může odolat vysokým teplotám až 1600 °C, aniž by podstoupil významnou tepelnou degradaci.
Chemická odolnost: Povlak z karbidu křemíku poskytuje vynikající odolnost vůči široké škále chemikálií, včetně kyselin, zásad a organických rozpouštědel.
Odolnost proti opotřebení: Povlak SiC poskytuje materiálu vynikající odolnost proti opotřebení, takže je vhodný pro aplikace, které zahrnují vysoké opotřebení.
Tepelná vodivost: Povlak CVD SiC poskytuje materiálu vysokou tepelnou vodivost, díky čemuž je vhodný pro použití ve vysokoteplotních aplikacích, které vyžadují účinný přenos tepla.
Vysoká pevnost a tuhost: Susceptor potažený karbidem křemíku poskytuje materiálu vysokou pevnost a tuhost, takže je vhodný pro aplikace, které vyžadují vysokou mechanickou pevnost.
SiC povlak se používá v různých aplikacích
Výroba LED: Susceptor potažený CVD SiC se používá při výrobě zpracovaných různých typů LED, včetně modré a zelené LED, UV LED a hlubokého UV LED, díky své vysoké tepelné vodivosti a chemické odolnosti.
Mobilní komunikace: CVD SiC potažený susceptor je klíčovou součástí HEMT pro dokončení epitaxního procesu GaN-on-SiC.
Zpracování polovodičů: Susceptor potažený CVD SiC se používá v polovodičovém průmyslu pro různé aplikace, včetně zpracování plátků a epitaxního růstu.
Grafitové komponenty potažené SiC
Vyrobeno z grafitu Silicon Carbide Coating (SiC), povlak je aplikován metodou CVD na konkrétní druhy grafitu s vysokou hustotou, takže může pracovat ve vysokoteplotní peci s více než 3000 °C v inertní atmosféře, 2200 °C ve vakuu .
Speciální vlastnosti a nízká hmotnost materiálu umožňují vysokou rychlost ohřevu, rovnoměrné rozložení teploty a vynikající přesnost ovládání.
Materiálové údaje Semicorex SiC Coating
Typické vlastnosti |
Jednotky |
Hodnoty |
Struktura |
|
FCC β fáze |
Orientace |
zlomek (%) |
111 přednostně |
Objemová hmotnost |
g/cm³ |
3.21 |
Tvrdost |
Tvrdost podle Vickerse |
2500 |
Tepelná kapacita |
J kg-1 K-1 |
640 |
Tepelná roztažnost 100–600 °C (212–1112 °F) |
10-6K-1 |
4.5 |
Youngův modul |
Gpa (4pt ohyb, 1300℃) |
430 |
Velikost zrna |
μm |
2~10 |
Teplota sublimace |
℃ |
2700 |
Felexurální síla |
MPa (RT 4-bodové) |
415 |
Tepelná vodivost |
(W/mK) |
300 |
Závěr CVD SiC potažený susceptor je kompozitní materiál, který kombinuje vlastnosti susceptoru a karbidu křemíku. Tento materiál má jedinečné vlastnosti, včetně vysoké teplotní a chemické odolnosti, vynikající odolnosti proti opotřebení, vysoké tepelné vodivosti a vysoké pevnosti a tuhosti. Tyto vlastnosti z něj činí atraktivní materiál pro různé vysokoteplotní aplikace, včetně zpracování polovodičů, chemického zpracování, tepelného zpracování, výroby solárních článků a výroby LED.
Semicorex SiC Barrel For Silicon Epitaxy je navržen tak, aby splňoval náročné požadavky na aplikované materiály a jednotky LPE. Tento sudovitý susceptor, vyrobený s přesností a inovací, je vyroben z vysoce kvalitního grafitu potaženého SiC, což zajišťuje výjimečný výkon a odolnost v aplikacích silikonové epitaxe. Semicorex se zavázal poskytovat kvalitní produkty za konkurenceschopné ceny, těšíme se, že se staneme vaším dlouhodobým partnerem v Číně.
Přečtěte si víceOdeslat dotazGrafitový susceptor Semicorex s povlakem SiC je nezbytnou součástí navrženou pro procesy křemíkové epitaxe v aplikovaných materiálech a jednotkách LPE (liquid Phase Epitaxy). Tento susceptor, vyrobený z vysoce kvalitního grafitového materiálu potaženého karbidem křemíku (SiC), zajišťuje vynikající výkon a dlouhou životnost v prostředí výroby polovodičů. Semicorex se zavázal poskytovat kvalitní produkty za konkurenceschopné ceny, těšíme se, že se staneme vaším dlouhodobým partnerem v Číně.
Přečtěte si víceOdeslat dotazNáhradní díly Semicorex v epitaxním růstu jsou klíčové komponenty používané v systémech epitaxního růstu, zejména v procesech zahrnujících nastavení křemenných trubic. Tyto části hrají zásadní roli při usnadňování proudění plynu pro pohánění rotace základny tácu a zajišťují přesné řízení teploty během procesu epitaxního růstu. Semicorex se zavázal poskytovat kvalitní produkty za konkurenceschopné ceny, těšíme se, že se staneme vaším dlouhodobým partnerem v Číně.
Přečtěte si víceOdeslat dotazSemicorex CVD SiC Coated Barrel Susceptor je pečlivě navržená součástka přizpůsobená pro pokročilé procesy výroby polovodičů, zejména epitaxi. Naše produkty mají dobrou cenovou výhodu a pokrývají většinu evropských a amerických trhů. Těšíme se, že se staneme vaším dlouhodobým partnerem v Číně.
Přečtěte si víceOdeslat dotazSemicorex Barrel Susceptor Silicon Carbide Coated Graphite je specializovaná součást navržená pro použití v procesu epitaxe, zejména při přenášení waferů. Kontaktujte nás ještě dnes a zjistěte více o tom, jak vám můžeme pomoci s vašimi potřebami zpracování polovodičových destiček.
Přečtěte si víceOdeslat dotazSemicorex MOCVD SiC potažený grafitový susceptor je pokročilá a specializovaná součást používaná v procesu metal-organické chemické depozice z plynné fáze, což je klíčová technika při výrobě polovodičů, optoelektronických zařízení a dalších pokročilých materiálů. Semicorex se zavázal poskytovat kvalitní produkty za konkurenceschopné ceny, těšíme se, že se staneme vaším dlouhodobým partnerem v Číně.
Přečtěte si víceOdeslat dotaz