Wafer Acceptor

Semicorex Wafer Susceptor je odborně vyroben z grafitu a potažen karbidem křemíku (SiC), aby splnil náročné podmínky moderní výroby polovodičů.

V procesech epitaxe je naprosto zásadní udržení stabilního a kontrolovaného prostředí. Susceptor waferů slouží jako základní platforma, na kterou jsou wafery umístěny během depozice, splňující přesné požadavky na rovnoměrnost teploty, chemickou inertnost a mechanickou pevnost pro dosažení vysoce kvalitních epitaxních vrstev.

Volba grafitu jako základního materiálu pro Wafer Susceptor je řízena jeho vynikající tepelnou vodivostí a mechanickými vlastnostmi. Schopnost grafitu odolávat vysokým teplotám při zachování strukturální integrity je klíčová ve vysokoteplotních prostředích epitaxních reaktorů. Kromě toho tepelná vodivost grafitu zajišťuje efektivní distribuci tepla napříč plátkem, čímž se snižuje riziko teplotních gradientů, které by mohly vést k defektům v epitaxní vrstvě.

Pro zvýšení výkonu Wafer Susceptor je na grafitový základ odborně aplikován povlak z karbidu křemíku (SiC). SiC je vysoce odolný materiál s vynikající chemickou odolností, takže je ideální pro použití v polovodičovém prostředí, kde se často vyskytují reaktivní plyny. Povlak SiC poskytuje ochrannou bariéru, která chrání grafit před potenciálními chemickými reakcemi, zajišťuje životnost susceptoru plátků a udržuje čisté prostředí v reaktoru.

Semicorex Wafer Susceptor vyrobený z grafitu potaženého SiC je nepostradatelnou součástí v procesech epitaxe polovodičů. Díky kombinaci tepelných a mechanických vlastností grafitu s chemickou a tepelnou stabilitou karbidu křemíku se ideálně hodí pro přísné požadavky moderní výroby polovodičů. Konstrukce s jednou destičkou nabízí přesnou kontrolu nad procesem epitaxe, což přispívá k výrobě vysoce kvalitních polovodičových součástek. Tento susceptor zajišťuje, že se s wafery zachází s maximální péčí a přesností, což vede k vynikajícím epitaxním vrstvám a výkonnějším polovodičovým produktům.