Epitaxní oplatkový člun

Semicorex nabízí čluny, podstavce a vlastní nosiče destiček pro vertikální / sloupcové i horizontální konfigurace. Již mnoho let jsme výrobcem a dodavatelem povlaků z karbidu křemíku. Náš Epitaxial Wafer Boat má dobrou cenovou výhodu a pokrývá většinu evropských a amerických trhů. Těšíme se, že se staneme vaším dlouhodobým partnerem v Číně.

Odeslat dotaz

Popis výrobku

Semicorex Epitaxial Wafer Boat, dokonalé řešení pro zpracování waferů při výrobě polovodičů. Naše lodičky Epitaxial Wafer Boat jsou vyrobeny z vysoce kvalitní keramiky z karbidu křemíku (SiC), která poskytuje vynikající odolnost vůči vysokým teplotám a chemické korozi.
Náš Epitaxial Wafer Boat z karbidu křemíku má hladký povrch, který minimalizuje tvorbu částic a zajišťuje nejvyšší úroveň čistoty vašich produktů. Díky vynikající tepelné vodivosti a vynikající mechanické pevnosti poskytují naše lodě konzistentní a spolehlivé výsledky.
Naše Epitaxial Wafer Boats jsou kompatibilní se všemi standardními zařízeními na zpracování oplatek a vydrží teploty až 1600 °C. Snadno se s nimi manipuluje a čistí, což z nich činí nákladově efektivní a efektivní volbu pro vaše výrobní potřeby.
Náš tým odborníků se zavázal poskytovat nejlepší kvalitu a služby. Nabízíme zakázkové návrhy, které splňují vaše specifické požadavky, a naše produkty jsou podporovány naším programem zajištění kvality.

Parametry epitaxního oplatkového člunu

Technické vlastnosti
Index	Jednotka	Hodnota
Název materiálu		Reakce Slinutý karbid křemíku	Beztlakový slinutý karbid křemíku	Rekrystalizovaný karbid křemíku
Složení		RBSiC	SSiC	R-SiC
Objemová hustota	g/cm3	3	3,15 ± 0,03	2,60-2,70
Pevnost v ohybu	MPa (kpsi)	338(49)	380(55)	80-90 (20 °C) 90-100 (1400 °C)
Pevnost v tlaku	MPa (kpsi)	1120(158)	3970(560)	> 600
Tvrdost	Tlačítko	2700	2800	/
Prolomení houževnatosti	MPa m1/2	4.5	4	/
Tepelná vodivost	W/m.k	95	120	23
Koeficient tepelné roztažnosti	10^-60,1/°C	5	4	4.7
Specifické teplo	Joule/g 0k	0.8	0.67	/
Maximální teplota vzduchu	℃	1200	1500	1600
Elastický modul	Gpa	360	410	240

Rozdíl mezi SSiC a RBSiC:

1. Proces slinování je odlišný. RBSiC má infiltrovat volný Si do karbidu křemíku při nízké teplotě, SSiC vzniká přirozeným smrštěním při 2100 stupních.

2. SSiC mají hladší povrch, vyšší hustotu a vyšší pevnost, pro některá těsnění s přísnějšími požadavky na povrch bude SSiC lepší.

3. Různá doba použití při různém PH a teplotě, SSiC je delší než RBSiC

Vlastnosti epitaxního člunu z karbidu křemíku

Vysoce čistý SiC potažený MOCVD
Vynikající tepelná odolnost a tepelná rovnoměrnost
Jemný krystal SiC potažený pro hladký povrch
Vysoká odolnost proti chemickému čištění
Materiál je navržen tak, aby nedocházelo k prasklinám a delaminaci.