- English
- Español
- Português
- русский
- Français
- 日本語
- Deutsch
- tiếng Việt
- Italiano
- Nederlands
- ภาษาไทย
- Polski
- 한국어
- Svenska
- magyar
- Malay
- বাংলা ভাষার
- Dansk
- Suomi
- हिन्दी
- Pilipino
- Türkçe
- Gaeilge
- العربية
- Indonesia
- Norsk
- تمل
- český
- ελληνικά
- український
- Javanese
- فارسی
- தமிழ்
- తెలుగు
- नेपाली
- Burmese
- български
- ລາວ
- Latine
- Қазақша
- Euskal
- Azərbaycan
- Slovenský jazyk
- Македонски
- Lietuvos
- Eesti Keel
- Română
- Slovenski
- मराठी
- Srpski језик
Novinky z oboru
Monokrystalický křemík vs. polykrystalický křemík
Monokrystalický křemík a polykrystalický křemík mají každý své vlastní jedinečné výhody a použitelné scénáře. Monokrystalový křemík je vhodný pro vysoce výkonné elektronické produkty a mikroelektroniku díky svým vynikajícím elektrickým a mechanickým vlastnostem. Polykrystalický křemík na druhé stran......
Přečtěte si více
Substrát a epitaxe
V procesu přípravy plátku existují dvě základní vazby: jedním je příprava substrátu a druhým je implementace epitaxního procesu. Substrát, wafer pečlivě vyrobený z polovodičového monokrystalového materiálu, může být přímo vložen do procesu výroby waferu jako základ pro výrobu polovodičových součáste......
Přečtěte si více
Silikonový plátek
Silikonový materiál je pevný materiál s určitými polovodičovými elektrickými vlastnostmi a fyzikální stabilitou a poskytuje substrátovou podporu pro následný proces výroby integrovaného obvodu. Je to klíčový materiál pro integrované obvody na bázi křemíku. Více než 95 % polovodičových součástek a ví......
Přečtěte si více
Procesní tok jádra substrátu z karbidu křemíku
Substrát karbidu křemíku je složený polovodičový monokrystalový materiál složený ze dvou prvků, uhlíku a křemíku. Má vlastnosti velké bandgap, vysoké tepelné vodivosti, vysoké kritické intenzity průrazného pole a vysoké rychlosti driftu elektronové saturace.
Přečtěte si více
Kritická role SiC substrátů a růst krystalů v polovodičovém průmyslu
V rámci průmyslového řetězce karbidu křemíku (SiC) mají dodavatelé substrátů významný vliv, především díky distribuci hodnoty. Substráty SiC tvoří 47 % z celkové hodnoty, následované epitaxními vrstvami ve výši 23 %, zatímco design a výroba zařízení tvoří zbývajících 30 %. Tento obrácený hodnotový ř......
Přečtěte si více
