První generaci polovodičových materiálů představují především křemík (Si) a germanium (Ge), které začaly stoupat v 50. letech minulého století. Germanium bylo dominantní v počátcích a bylo používáno hlavně v nízkonapěťových, nízkofrekvenčních, středně výkonných tranzistorech a fotodetektorech, ale k......
Přečtěte si víceEpitaxní růst bez defektů nastává, když má jedna krystalová mřížka téměř identické mřížkové konstanty jako jiná. K růstu dochází, když jsou mřížková místa dvou mřížek v oblasti rozhraní přibližně shodná, což je možné s malým nesouladem mřížky (méně než 0,1 %). Toto přibližné přizpůsobení je dosaženo......
Přečtěte si víceNejzákladnějším stupněm všech procesů je proces oxidace. Proces oxidace spočívá v umístění křemíkového plátku do atmosféry oxidantů, jako je kyslík nebo vodní pára pro vysokoteplotní tepelné zpracování (800 ~ 1200 ℃), a na povrchu křemíkového plátku dochází k chemické reakci za vytvoření oxidového f......
Přečtěte si víceRůst epitaxe GaN na substrátu GaN představuje jedinečnou výzvu, a to i přes vynikající vlastnosti materiálu ve srovnání s křemíkem. GaN epitaxe nabízí oproti materiálům na bázi křemíku významné výhody, pokud jde o šířku pásma, tepelnou vodivost a průrazné elektrické pole. Díky tomu je přijetí GaN ja......
Přečtěte si více