Karbid křemíku (SiC) je materiál, který má vysokou vazebnou energii, podobně jako jiné tvrdé materiály, jako je diamant a kubický nitrid boru. Vysoká vazebná energie SiC však ztěžuje krystalizaci přímo do ingotů tradičními metodami tavení. Proto proces růstu krystalů karbidu křemíku zahrnuje použití......
Přečtěte si vícePrůmysl karbidu křemíku zahrnuje řetězec procesů, které zahrnují tvorbu substrátu, epitaxní růst, návrh zařízení, výrobu zařízení, balení a testování. Obecně se karbid křemíku vytváří jako ingoty, které se pak krájí, brousí a leští, aby se vytvořil substrát z karbidu křemíku.
Přečtěte si vícePolovodičové materiály lze rozdělit do tří generací podle časové posloupnosti. První generace germania, křemíku a dalších běžných monomateriálů, která se vyznačuje pohodlným spínáním, obecně používaná v integrovaných obvodech. Druhá generace arsenidu galia, fosfidu india a dalších složených polovodi......
Přečtěte si víceKarbid křemíku (SiC) má díky svým vynikajícím fyzikálně-chemickým vlastnostem důležité aplikace v oblastech, jako je výkonová elektronika, vysokofrekvenční RF zařízení a senzory pro prostředí odolná vysokým teplotám. Operace krájení během zpracování SiC plátku však způsobuje poškození na povrchu, kt......
Přečtěte si víceV současnosti je zkoumáno několik materiálů, mezi nimiž karbid křemíku vyniká jako jeden z nejslibnějších. Podobně jako GaN se může pochlubit vyšším provozním napětím, vyšším průrazným napětím a vynikající vodivostí ve srovnání s křemíkem. Navíc díky své vysoké tepelné vodivosti může být karbid křem......
Přečtěte si více