SiC Wafer Chuck

Semicorex SiC Wafer Chuck představuje vrchol inovací ve výrobě polovodičů a slouží jako klíčová součást ve složitém procesu výroby polovodičů. Toto sklíčidlo, vyrobené s pečlivou přesností a špičkovou technologií, hraje nepostradatelnou roli při podpoře a stabilizaci plátků z karbidu křemíku (SiC) během různých fází výroby. Semicorex se zavázal poskytovat kvalitní produkty za konkurenceschopné ceny, těšíme se, že se staneme vaším dlouhodobým partnerem v Číně.

Odeslat dotaz

Popis výrobku

Jádrem SiC Wafer Chuck je sofistikovaná směs materiálů, jejíž základna je vyrobena z grafitu a pečlivě potažena chemickou depozicí z plynné fáze (CVD) SiC. Tato fúze grafitu a povlaku SiC zajišťuje nejen výjimečnou trvanlivost a tepelnou stabilitu, ale také nabízí bezkonkurenční odolnost vůči drsným chemickým prostředím a chrání integritu jemných polovodičových destiček během výrobního procesu.

Sklíčidlo SiC wafer se může pochlubit výjimečnou tepelnou vodivostí, která usnadňuje efektivní odvod tepla během procesu výroby polovodičů. Tato schopnost minimalizuje teplotní gradienty na povrchu destičky a zajišťuje rovnoměrné rozložení teploty, které je důležité pro dosažení přesných vlastností polovodičů. Díky integraci povlaku CVD SiC vykazuje sklíčidlo SiC Wafer Chuck pozoruhodnou mechanickou pevnost a tuhost, která je schopna odolat náročným podmínkám, se kterými se setkáváme při zpracování plátků. Tato robustnost minimalizuje riziko deformace nebo poškození, chrání integritu polovodičových destiček a maximalizuje výnosy výroby.

Každé sklíčidlo SiC destiček prochází pečlivým přesným obráběním, které zaručuje těsné tolerance a optimální rovinnost po celém jeho povrchu. Tato přesnost je rozhodující pro dosažení rovnoměrného kontaktu mezi sklíčidlem a polovodičovým plátkem, což usnadňuje spolehlivé upnutí plátku a zajišťuje konzistentní výsledky zpracování.

Sklíčidlo SiC wafer nachází široké uplatnění v různých procesech výroby polovodičů, včetně epitaxního růstu, chemického nanášení par (CVD) a tepelného zpracování. Jeho všestrannost a spolehlivost jej činí nepostradatelným pro podporu SiC waferů během kritických výrobních kroků, což v konečném důsledku přispívá k výrobě pokročilých polovodičových součástek s bezkonkurenčním výkonem a spolehlivostí.