RTP RTA SiC potažený nosič

Semicorex je velký výrobce a dodavatel grafitových susceptorů potažených karbidem křemíku v Číně. Grafitový susceptor Semicorex navržený speciálně pro epitaxní zařízení s vysokou tepelnou a korozní odolností v Číně. Náš nosič RTP RTA SiC Coated Carrier má dobrou cenovou výhodu a pokrývá mnoho evropských a amerických trhů. Těšíme se, že se staneme vaším dlouhodobým partnerem.

Odeslat dotaz

Popis výrobku

Semicorex dodává nosič RTP RTA SiC Coated Carrier používaný k podpoře waferů, který je opravdu stabilní pro RTA, RTP nebo drsné chemické čištění. Nosič s povrchovou úpravou RTP RTA SiC s grafitovou konstrukcí potaženou vysoce čistým karbidem křemíku (SiC) poskytuje vynikající tepelnou odolnost, rovnoměrnou tepelnou rovnoměrnost pro konzistentní tloušťku a odolnost epi vrstvy a trvalou chemickou odolnost. Jemný krystalový povlak SiC poskytuje čistý, hladký povrch, který je kritický pro manipulaci, protože nedotčené plátky se dotýkají susceptoru na mnoha místech po celé své ploše.
Ve společnosti Semicorex se zaměřujeme na poskytování vysoce kvalitních a cenově výhodných nosičů RTP RTA SiC Coated Carrier, upřednostňujeme spokojenost zákazníků a poskytujeme nákladově efektivní řešení. Těšíme se, že se staneme vaším dlouhodobým partnerem, který bude dodávat vysoce kvalitní produkty a výjimečné služby zákazníkům.

Parametry nosiče RTP RTA SiC Coated Carrier

Hlavní specifikace povlaku CVD-SIC
Vlastnosti SiC-CVD
Krystalická struktura	FCC Î² fáze
Hustota	g/cm³	3.21
Tvrdost	Tvrdost podle Vickerse	2500
Velikost zrna	Î¼m	2~10
Chemická čistota	%	99.99995
Tepelná kapacita	J·kg-1 ·K-1	640
Teplota sublimace	℃	2700
Felexurální síla	MPa (RT 4-bodové)	415
Youngův modul	Gpa (4pt ohyb, 1300â)	430
Tepelná expanze (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Tepelná vodivost	(W/mK)	300

Vlastnosti nosiče RTP RTA SiC Coated Carrier

- Grafitový substrát i vrstva karbidu křemíku mají dobrou hustotu a mohou hrát dobrou ochrannou roli ve vysokoteplotním a korozivním pracovním prostředí.
- Susceptor potažený karbidem křemíku používaný pro růst monokrystalů má velmi vysokou rovinnost povrchu.
- Snižte rozdíl v koeficientu tepelné roztažnosti mezi grafitovým substrátem a vrstvou karbidu křemíku, účinně zlepšujte pevnost spoje, aby se zabránilo praskání a delaminaci.
- Grafitový substrát i vrstva karbidu křemíku mají vysokou tepelnou vodivost a vynikající vlastnosti distribuce tepla.
- Vysoký bod tání, odolnost proti oxidaci při vysokých teplotách, odolnost proti korozi.