Domov > produkty > Potaženo karbidem křemíku > Susceptor MOCVD > Silicon Carbide Coating Graphite Susceptor pro MOCVD
Silicon Carbide Coating Graphite Susceptor pro MOCVD

Silicon Carbide Coating Graphite Susceptor pro MOCVD

Semicorex je důvěryhodný dodavatel a výrobce grafitových susceptorů s povlakem karbidu křemíku pro MOCVD. Náš produkt je speciálně navržen tak, aby vyhovoval potřebám polovodičového průmyslu při růstu epitaxní vrstvy na waferovém čipu. Výrobek se používá jako středová deska v MOCVD s ozubeným nebo prstencovým designem. Má vysokou tepelnou odolnost a odolnost proti korozi, takže je ideální pro použití v extrémních prostředích.

Odeslat dotaz

Popis výrobku

Náš grafitový susceptor z karbidu křemíku pro MOCVD má několik klíčových vlastností, díky kterým se odlišuje od konkurence. Zajišťuje povlak na celém povrchu, zabraňuje odlupování a má odolnost proti vysokoteplotní oxidaci, která zajišťuje stabilitu i při vysokých teplotách až 1600 °C. Produkt je vyroben s vysokou čistotou prostřednictvím chemického nanášení par CVD za podmínek vysokoteplotní chlorace. Má hustý povrch s jemnými částicemi, díky čemuž je vysoce odolný vůči korozi kyselin, zásad, solí a organických činidel.
Náš grafitový susceptor s povlakem z karbidu křemíku pro MOCVD je navržen tak, aby dosáhl nejlepšího vzoru laminárního proudění plynu a zajistil rovnoměrnost tepelného profilu. Zabraňuje jakékoli kontaminaci nebo difúzi nečistot a zajišťuje vysoce kvalitní epitaxní růst na waferovém čipu.


Parametry grafitového susceptoru s povlakem karbidu křemíku pro MOCVD

Hlavní specifikace povlaku CVD-SIC

Vlastnosti SiC-CVD

Krystalická struktura

FCC β fáze

Hustota

g/cm³

3.21

Tvrdost

Tvrdost podle Vickerse

2500

Velikost zrna

μm

2~10

Chemická čistota

%

99.99995

Tepelná kapacita

J·kg-1 ·K-1

640

Teplota sublimace

2700

Felexurální síla

MPa (RT 4-bodové)

415

Youngův modul

Gpa (4pt ohyb, 1300â)

430

Tepelná expanze (C.T.E)

10-6K-1

4.5

Tepelná vodivost

(W/mK)

300


Vlastnosti grafitového susceptoru s povlakem karbidu křemíku pro MOCVD

- Zabraňte odlupování a zajistěte povlak na celém povrchu
Odolnost proti oxidaci při vysokých teplotách: Stabilní při vysokých teplotách až do 1600 °C
Vysoká čistota: vyrobeno chemickou depozicí z par CVD za podmínek chlorace při vysoké teplotě.
Odolnost proti korozi: vysoká tvrdost, hustý povrch a jemné částice.
Odolnost proti korozi: kyselinám, zásadám, solím a organickým činidlům.
- Dosáhněte nejlepšího vzoru laminárního proudění plynu
- Garance rovnoměrnosti tepelného profilu
- Zabraňte jakékoli kontaminaci nebo šíření nečistot




Hot Tags: Silicon Carbide Coating Graphite Susceptor pro MOCVD, Čína, Výrobci, Dodavatelé, Továrna, Na míru, Hromadné, Pokročilé, Odolné

Související kategorie

Odeslat dotaz

Neváhejte a napište svůj dotaz do formuláře níže. Odpovíme vám do 24 hodin.
We use cookies to offer you a better browsing experience, analyze site traffic and personalize content. By using this site, you agree to our use of cookies. Privacy Policy
Reject Accept