PSS leptací nosič pro zpracování waferů

Semicorex PSS leptací nosič pro zpracování plátků je speciálně navržen pro náročné aplikace epitaxního zařízení. Náš ultračistý grafitový nosič je ideální pro fáze nanášení tenkých vrstev, jako je MOCVD, epitaxní susceptory, palačinkové nebo satelitní platformy a zpracování waferů, jako je leptání. PSS leptací nosič pro zpracování oplatek má vysokou tepelnou odolnost a odolnost proti korozi, vynikající vlastnosti distribuce tepla a vysokou tepelnou vodivost. Naše produkty jsou cenově výhodné a mají dobrou cenovou výhodu. Obstaráváme mnoho evropských a amerických trhů a těšíme se, že se staneme vaším dlouhodobým partnerem v Číně.

Odeslat dotaz

Popis výrobku

PSS Etching Carrier Tray pro zpracování waferů od Semicorexu je navržen pro drsná prostředí potřebná pro epitaxní růst a procesy manipulace s wafery. Náš ultračistý grafitový nosič je navržen tak, aby podporoval wafery během fází nanášení tenkých vrstev, jako jsou MOCVD a epitaxní susceptory, palačinkové nebo satelitní platformy. Nosič potažený SiC má vysokou tepelnou odolnost a odolnost proti korozi, vynikající vlastnosti distribuce tepla a vysokou tepelnou vodivost. Naše produkty jsou cenově výhodné a nabízejí dobrou cenovou výhodu.

Parametry nosiče PSS leptání pro zpracování waferů

Hlavní specifikace povlaku CVD-SIC
Vlastnosti SiC-CVD
Krystalová struktura	FCC β fáze
Hustota	g/cm³	3.21
Tvrdost	Tvrdost podle Vickerse	2500
Velikost zrna	μm	2~10
Chemická čistota	%	99.99995
Tepelná kapacita	J kg-1 K-1	640
Teplota sublimace	℃	2700
Felexurální síla	MPa (RT 4-bodové)	415
Youngův modul	Gpa (4pt ohyb, 1300℃)	430
Tepelná expanze (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Tepelná vodivost	(W/mK)	300