Nosiče desek s povlakem SiC pro MOCVD

Semicorex SiC Coated Plate Carriers pro MOCVD je vysoce kvalitní nosič určený pro použití v procesu výroby polovodičů. Jeho vysoká čistota, vynikající odolnost proti korozi a dokonce i tepelný profil z něj činí vynikající volbu pro ty, kteří hledají nosič, který odolá nárokům procesu výroby polovodičů.

Odeslat dotaz

Popis výrobku

Naše nosiče desek s povlakem SiC pro MOCVD se vyznačují vysokou čistotou, díky čemuž jsou vynikající volbou pro ty, kteří hledají nosič, který je vysoce jednotný a konzistentní ve svých vlastnostech.
Naše nosiče desek s povlakem SiC pro MOCVD jsou vyrobeny s vysoce čistým povlakem karbidu křemíku na grafitu, díky kterému jsou vysoce odolné vůči oxidaci při vysokých teplotách až 1600 °C. Proces chemického napařování CVD použitý při jeho výrobě zajišťuje vysokou čistotu a vynikající odolnost proti korozi. Je vysoce odolný proti korozi, s hustým povrchem a jemnými částicemi, díky čemuž je odolný vůči kyselinám, zásadám, solím a organickým činidlům. Jeho odolnost proti vysokoteplotní oxidaci zajišťuje stabilitu při vysokých teplotách až do 1600 °C.

Parametry nosičů desek s povlakem SiC pro MOCVD

Hlavní specifikace povlaku CVD-SIC
Vlastnosti SiC-CVD
Krystalová struktura	FCC β fáze
Hustota	g/cm³	3.21
Tvrdost	Tvrdost podle Vickerse	2500
Velikost zrna	μm	2~10
Chemická čistota	%	99.99995
Tepelná kapacita	J kg-1 K-1	640
Teplota sublimace	℃	2700
Felexurální síla	MPa (RT 4-bodové)	415
Youngův modul	Gpa (4pt ohyb, 1300℃)	430
Tepelná expanze (C.T.E)	10-6K-1	4.5
Tepelná vodivost	(W/mK)	300

Vlastnosti grafitového susceptoru potaženého SiC pro MOCVD

- Zabraňte odlupování a zajistěte povlak na celém povrchu
Odolnost proti oxidaci při vysokých teplotách: Stabilní při vysokých teplotách až do 1600 °C
Vysoká čistota: vyrobeno chemickou depozicí z par CVD za podmínek chlorace při vysoké teplotě.
Odolnost proti korozi: vysoká tvrdost, hustý povrch a jemné částice.
Odolnost proti korozi: kyselinám, zásadám, solím a organickým činidlům.
- Dosáhněte nejlepšího vzoru laminárního proudění plynu
- Garance rovnoměrnosti tepelného profilu
- Zabraňte jakékoli kontaminaci nebo šíření nečistot